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IGO60R070D1AUMA1
Transistor de nitruro de galio (GaN), 600 V, 31 A, 0.055 ohm, 5.8 nC, PG-DSO-20-85
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIGO60R070D1AUMA1
No. Parte Newark84AC1770
Rango de ProductoCoolGaN
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id31A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.055ohm
Resistencia Encendida Rds (activada) Máx.0.055ohm
Carga de Compuerta Típica5.8nC
Diseño de TransistorPG-DSO-20-85
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines20Pines
Rango de ProductoCoolGaN
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Resumen del producto
Infineon launches a GaN enhancement mode high electron mobility transistor (e‑mode HEMT) portfolio with industry‑leading field performance, enabling rugged and reliable systems at an attractive overall system cost. CoolGaN™ transistors are built with the most reliable GaN technology and are tailor‑made to deliver the market’s highest efficiency and density levels in switched mode power supplies. The application‑based qualification approach extends beyond that of other GaN products in the market.
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.055ohm
Carga de Compuerta Típica
5.8nC
Montaje de Transistor
Surface Mount
Rango de Producto
CoolGaN
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Intensidad Drenador Continua Id
31A
Resistencia Encendida Rds (activada) Máx.
0.055ohm
Diseño de Transistor
PG-DSO-20-85
No. de Pines
20Pines
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto