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SD2932W
Transistor FET RF, 125 V, 40 A, 500 W, 175 MHz, 230 MHz, M244
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSD2932W
No. Parte Newark47AK6900
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $214.820 |
| 5+ | $194.460 |
| 10+ | $174.100 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSD2932W
No. Parte Newark47AK6900
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds125
Intensidad Drenador Continua Id40
Disipación de Potencia500
Frecuencia de Funcionamiento Mín.175
Disipación de Potencia Pd0
Frecuencia de Funcionamiento Máx.230
Diseño de TransistorM244
No. de Pines3Pines
Encapsulado de Transistor RF0
Temperatura de Trabajo Máx.200
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorFlange
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
125
Disipación de Potencia
500
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
M244
Encapsulado de Transistor RF
0
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Intensidad Drenador Continua Id
40
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
175
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
230
No. de Pines
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
200
Montaje de Transistor
Flange
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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