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FB180SA10P
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Canal N, 180 A, 100 V, 0.0065 ohm, 10 V, 4 V
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteFB180SA10P
No. Parte Newark12M7522
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id180A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Resistencia de Activación Rds(on)0.0065ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0065ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia Pd480W
Disipación de Potencia480W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
The FB180SA10P is a 5th generation high current density Power MOSFET is parallel into a compact, high power module providing the best combination of switching, ruggedized design, very low on resistance and cost effectiveness.
- Fully isolated package
- Dynamic dv/dt rating
- Fully avalanche rated
- Simple drive requirements
- Low drain to case capacitance
- Low internal inductance
Aplicaciones
Industrial, Commercial
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
180A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0065ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
480W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0065ohm
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia
480W
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto