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IXFN120N65X2
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Canal N, 108 A, 650 V, 0.024 ohm, 10 V, 5 V
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FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFN120N65X2
No. Parte Newark03AH0714
Rango de ProductoHiPerFET X2 Series
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFN120N65X2
No. Parte Newark03AH0714
Rango de ProductoHiPerFET X2 Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Intensidad Drenador Continua Id108
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.024
Resistencia de Activación Rds(on)0.024ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia890
Disipación de Potencia Pd890W
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoHiPerFET X2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
108
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.024
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
890
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia de Activación Rds(on)
0.024ohm
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
Disipación de Potencia Pd
890W
Rango de Producto
HiPerFET X2 Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto