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FDC6305N
DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, SUPER SOT-6
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC6305N
No. Parte Newark58K1417
Hoja de datos técnicos
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2019)
Alternativas para el número de pieza FDC6305N
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
El FDC6305N es un MOSFET de umbral bajo de doble canal N producido mediante el avanzado proceso PowerTrench®. Ha sido especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado ENCENDIDO y, a la vez, mantener una carga baja en la puerta para un rendimiento de conmutación superior. Es adecuado para usar con interruptores de carga, convertidores de CD a CD y aplicaciones de conducción de motores.
- Baja carga de compuerta
- Alta velocidad de conmutación
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Huella pequeña
- Perfil bajo
Aplicaciones
Industrial, Control de Motor, Administración de Potencia
Especificaciones técnicas
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2019)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2019)
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