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SIZF640DT-T1-GE3
MOSFET, DUAL, C-N, 40V, 159A, POWERPAIR
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIZF640DT-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante56 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)42AK5555RL
Cinta adhesiva42AK5555
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
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14,712 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $4.520 | $4.52 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $4.52 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.520 |
| 50+ | $2.980 |
| 100+ | $2.100 |
| 250+ | $1.940 |
| 500+ | $1.770 |
| 1000+ | $1.740 |
| 2500+ | $1.700 |
| 5000+ | $1.660 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIZF640DT-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante56 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)42AK5555RL
Cinta adhesiva42AK5555
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N40V
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N159A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P159A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente1000µohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente1000µohm
Diseño de TransistorPowerPAIR
No. de Pines9Pines
Disipación de Potencia de Canal N62.5W
Disipación de Potencia de Canal P62.5W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
40V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
159A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
1000µohm
No. de Pines
9Pines
Disipación de Potencia de Canal P
62.5W
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
159A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
1000µohm
Diseño de Transistor
PowerPAIR
Disipación de Potencia de Canal N
62.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto