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SI4214DDY-T1-GE3
MOSFET Dual, Canal N, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.016 ohm
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4214DDY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo38AH2371
Re-reeling (Rollos a medida)35R6236RL
Cinta adhesiva35R6236
Rango de ProductoSerie TrenchFET
Su número de pieza
1,295 En Stock
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en pedidos superiores a $150 Dlls
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.100 | $1.10 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.10 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.100 |
| 50+ | $0.691 |
| 100+ | $0.453 |
| 250+ | $0.402 |
| 500+ | $0.350 |
| 1000+ | $0.317 |
| 2500+ | $0.280 |
| 5000+ | $0.260 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.368 |
| 7500+ | $0.330 |
| 12500+ | $0.323 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4214DDY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo38AH2371
Re-reeling (Rollos a medida)35R6236RL
Cinta adhesiva35R6236
Rango de ProductoSerie TrenchFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Intensidad Drenador Continua Id8.5A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N8.5
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P8.5
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.016
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.016
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N3.1
Disipación de Potencia de Canal P3.1
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de ProductoSerie TrenchFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El SI4214DDY-T1-GE3 es un MOSFET de doble canal N alojado en un paquete de montaje en superficie. Es adecuado para la alimentación del sistema portátil y las aplicaciones de convertidor CD a CD de baja corriente.
- Libre de halógenos
- TrenchFET® power MOSFET
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
8.5A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
8.5
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.016
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
3.1
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
8.5
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.016
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
3.1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
Serie TrenchFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI4214DDY-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto