Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMB3800NCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark87W8822
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 16 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $1.090 |
| 6000+ | $0.942 |
| 9000+ | $0.850 |
| 15000+ | $0.773 |
| 30000+ | $0.650 |
| 75000+ | $0.577 |
| 150000+ | $0.503 |
| 300000+ | $0.483 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$3,270.00
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMB3800NCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark87W8822
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id4.8A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4.8
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.032
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorµFET
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.6
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (19-Jan-2021)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
4.8A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4.8
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.032
Diseño de Transistor
µFET
Disipación de Potencia de Canal N
1.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (19-Jan-2021)
Documentos técnicos (4)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (19-Jan-2021)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
