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FDW2520C
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohm
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDW2520CCopiar
No. Parte Newark72K8463
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Intensidad Drenador Continua Id6A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N6
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P6
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.018
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.018
Diseño de TransistorTSSOP
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1
Disipación de Potencia de Canal P1
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Intensidad Drenador Continua Id
6A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
6
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.018
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
6
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.018
Diseño de Transistor
TSSOP
Disipación de Potencia de Canal N
1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto