6.1 MOSFETs Sencillos:
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Ingeniero
Fabricante
Transistor, Polaridad
Tipo de Canal
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
Intensidad Drenador Continua Id
Resistencia de Activación Rds(on)
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
Diseño de Transistor
Montaje de Transistor
Voltaje de Prueba Rds(on)
Disipación de Potencia Pd
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
Disipación de Potencia
No. de Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
Embalaje
Filtro(s) aplicado(s)
1 Filtro(s) seleccionado(s)
| Comparar | Precio para | Cantidad | |||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva | 1+ $0.075 25+ $0.075 50+ $0.075 100+ $0.075 | Mín: 1/Múlt: 1 | Canal N | Canal N | 30 | 6.1 | 0.0207ohm | 0.0207 | SuperSOT | Montaje Superficial | 10 | 1.6W | 2 | 1.6 | 6Pines | 150 | |||||
Cada | 1+ $6.920 10+ $6.230 25+ $5.660 50+ $5.180 100+ $4.840 Más precios… | Mín: 1/Múlt: 1 | Canal N | Canal N | 1 | 6.1 | 2ohm | 2 | TO-247 | Agujero Pasante | 10 | 190W | 4 | 190 | 3Pines | 150 | |||||

