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SIDR104AEP-T1-RE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 90.5 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIDR104AEP-T1-RE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante56 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)62AJ4904RL
Cinta adhesiva62AJ4904
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $3.920 | $3.92 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $3.92 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.920 |
| 50+ | $2.580 |
| 100+ | $1.820 |
| 250+ | $1.690 |
| 500+ | $1.550 |
| 1000+ | $1.520 |
| 2500+ | $1.490 |
| 5000+ | $1.460 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIDR104AEP-T1-RE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante56 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)62AJ4904RL
Cinta adhesiva62AJ4904
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id90.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0061
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia120
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0061
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
120
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
90.5
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto