Imprimir página
IXFA80N25X3
MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 80 A, 0.016 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFA80N25X3
No. Parte Newark03AH0483
Rango de ProductoHiPERFET X3 Series
Hoja de datos técnicos
51 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $10.200 |
| 25+ | $8.110 |
| 100+ | $6.040 |
| 250+ | $5.750 |
| 500+ | $5.470 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$10.20
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFA80N25X3
No. Parte Newark03AH0483
Rango de ProductoHiPERFET X3 Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250
Intensidad Drenador Continua Id80
Resistencia de Activación Rds(on)0.016ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.016
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia Pd390W
Disipación de Potencia390
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoHiPERFET X3 Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250
Resistencia de Activación Rds(on)
0.016ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
390W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HiPERFET X3 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.016
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Disipación de Potencia
390
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto