Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF540PBF-BE3
No. Parte Newark78AH6376
Rango de ProductoIRF540 Series
Hoja de datos técnicos
86 En Stock
262 Puede reservar stock ahora
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.070 |
| 10+ | $1.550 |
| 25+ | $1.460 |
| 50+ | $1.380 |
| 100+ | $1.300 |
| 500+ | $1.230 |
| 1000+ | $1.170 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.07
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF540PBF-BE3
No. Parte Newark78AH6376
Rango de ProductoIRF540 Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id28
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.077
Resistencia de Activación Rds(on)0.077ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia150
Disipación de Potencia Pd150W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoIRF540 Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
Notas
El sufijo BE3 indica producción fuera de China, no sujeta a aranceles de importación de EE. UU.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.077
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
150
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
IRF540 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
28
Resistencia de Activación Rds(on)
0.077ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
150W
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto