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DMP10H400SE-13
MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 6 A, 0.25 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP10H400SE-13Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4799
Re-reeling (Rollos a medida)07AH3793RL
Cinta adhesiva07AH3793
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.300 | $6.50 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $6.50 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $1.300 |
| 50+ | $0.844 |
| 100+ | $0.581 |
| 250+ | $0.525 |
| 500+ | $0.469 |
| 1000+ | $0.431 |
| 2500+ | $0.423 |
| 5000+ | $0.414 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.297 |
| 5000+ | $0.289 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP10H400SE-13Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4799
Re-reeling (Rollos a medida)07AH3793RL
Cinta adhesiva07AH3793
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.25ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.203ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd2W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.2V
Disipación de Potencia2W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
DMP10H400SE-13 is a P-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance and maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include motor control, DC-DC converters, power management functions and uninterrupted power supply.
- Low gate drive, low input capacitance, fast switching speed
- Drain-source voltage is -100V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA = +25°C
- Continuous drain current is -6A at TC = +25°C, VGS = -10V, steady state
- Pulsed drain current (380µs pulse, duty cycle = 1%) is -10A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 2W at TA = +25°C
- Static drain-source on-resistance is 250mohm max at VGS = -10V, ID = -5A, TA = +25°C
- Maximum body diode forward current is -1.9A at TA = +25°C
- SOT223 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.25ohm
Diseño de Transistor
SOT-223
Disipación de Potencia Pd
2W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.2V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
6A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.203ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto