Imprimir página
ZVP4424A
MOSFET de Potencia, Canal P, 240 V, 200 mA, 9 ohm, TO-226AA, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZVP4424ACopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante41 semanas
No. Parte Newark98K4116
Su número de pieza
3,811 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.020 |
| 10+ | $1.360 |
| 100+ | $0.981 |
| 500+ | $0.880 |
| 1000+ | $0.798 |
| 2500+ | $0.780 |
| 12000+ | $0.743 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.02
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZVP4424ACopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante41 semanas
No. Parte Newark98K4116
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds240V
Intensidad Drenador Continua Id200mA
Resistencia de Activación Rds(on)7.1ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente9ohm
Diseño de TransistorTO-226AA
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd750mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.4V
Disipación de Potencia750mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El ZVP4424A es un DMOS FET vertical de modo de mejora de canal P de línea E de -240 V ideal para conmutador de gancho electrónico.
- Bajo umbral
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
240V
Resistencia de Activación Rds(on)
7.1ohm
Diseño de Transistor
TO-226AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
200mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
9ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
750mW
Disipación de Potencia
750mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto