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6163R5KL.25
Transistor FET RF, 110 V, 2.5 mA, 300 W, 10 MHz, 600 MHz, TO-270WB
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FabricanteTT ELECTRONICS / BI TECHNOLOGIES
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No. Parte Newark47M2190
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Información del producto
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Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds110
Intensidad Drenador Continua Id2.5
Disipación de Potencia300
Frecuencia de Funcionamiento Mín.10
Disipación de Potencia Pd300W
Frecuencia de Funcionamiento Máx.600
Diseño de TransistorTO-270WB
Encapsulado de Transistor RFTO-270
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorBrida
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
110
Disipación de Potencia
300
Disipación de Potencia Pd
300W
Diseño de Transistor
TO-270WB
No. de Pines
4Pines
Tipo de Canal
Canal N
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Intensidad Drenador Continua Id
2.5
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
10
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
600
Encapsulado de Transistor RF
TO-270
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Montaje de Transistor
Brida
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto