FETs RF:

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Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
Intensidad Drenador Continua Id
Disipación de Potencia
Disipación de Potencia Pd
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
Diseño de Transistor
No. de Pines
Encapsulado de Transistor RF
Temperatura de Trabajo Máx.
Tipo de Canal
Montaje de Transistor
Embalaje
Filtro(s) aplicado(s)
1 Filtro(s) seleccionado(s)
CompararPrecio paraCantidad
85AC2003

RoHS

Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Cinta adhesiva
1+
$37.820
Mín: 1/Múlt: 1
139
-
952
0
1.8
600
TO-270WBG
4Pines
0
225
N Channel
Surface Mount
24T5453

RoHS

Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Cinta adhesiva
10+
$663.280
Mín: 50/Múlt: 50
130
100
1.667
1.667kW
1.8
600
NI-1230
4Pines
NI-1230
225
Canal N
Brida
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