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MRFE6VP5150GNR1
Transistor FET RF, LDMOS, 139 V, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WBG
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Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteMRFE6VP5150GNR1
No. Parte Newark85AC2003
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds139
Intensidad Drenador Continua Id-
Disipación de Potencia952
Frecuencia de Funcionamiento Mín.1.8
Disipación de Potencia Pd0
Frecuencia de Funcionamiento Máx.600
Diseño de TransistorTO-270WBG
Encapsulado de Transistor RF0
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.225
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
- RF power LDMOS transistor
- Wide operating frequency range from 1.8 to 600MHz
- Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
- Integrated ESD protection circuitry
- Integrated stability enhancements
- Low thermal resistance
- High ruggedness N-channel enhancement mode lateral MOSFET
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
139
Disipación de Potencia
952
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
TO-270WBG
No. de Pines
4Pines
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Intensidad Drenador Continua Id
-
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
1.8
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
600
Encapsulado de Transistor RF
0
Temperatura de Trabajo Máx.
225
Montaje de Transistor
Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto