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SKHI 22A H4 R
GATE DRIVER IC, IGBT, 85DEG C, MODULE
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FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKHI 22A H4 RCopiar
No. Parte Newark55X3131
Rango de ProductoSEMIDRIVER Series
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Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKHI 22A H4 RCopiar
No. Parte Newark55X3131
Rango de ProductoSEMIDRIVER Series
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTDual [Half Bridge]
Corriente del Colector Continua-
Tipo de Controlador de Compuerta-
Configuración del ControladorHalf Bridge
Voltaje de Saturación Colector Emisor-
Tipo de Interruptor de PotenciaIGBT
Disipación de Potencia-
Tipo de Controlador0
Diseño de TransistorSMD
Estuche / Paquete CIModule
Terminación del IGBTSolder
IC, MontajeSurface Mount
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.7kV
Tecnología IGBT-
Montaje de TransistorSurface Mount
Tensión de Alimentación Mín.14.4V
Tensión de Alimentación Máx.15.6V
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Retardo de Entrada1µs
Retardo de Salida1µs
Rango de ProductoSEMIDRIVER Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jun-2015)
Resumen del producto
SKHI 22A H4 R es un controlador híbrido dual IGBT SEMIDRIVER™. Se utiliza para módulos IGBT en circuitos puente en aplicaciones industriales.
- Compatible con el antiguo SKHI 22, la tensión de salida de la puerta de encendido es de 15V (típica).
- Entradas compatibles con CMOS, tensión de apagado de la puerta: -7V (típica)
- Protección contra cortocircuitos mediante monitorización y desconexión de VCE
- Enclavamiento de accionamiento superior/inferior; la resistencia interna del emisor de la puerta es de 22kΩ (típica).
- Aislamiento mediante transformadores; el tiempo de propagación de encendido entre entrada y salida es de 1µs (típico).
- Protección contra subtensión de alimentación (13V)
- El tiempo típico de reinicio por error es de 9µs, con un registro/salida de error.
- El voltaje de alimentación del lado primario es de 15V (típica).
- La corriente de alimentación en el lado primario (sin carga) es de 80mA (típica).
- Rango de temperatura de funcionamiento de -40°C a 85°C
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Dual [Half Bridge]
Tipo de Controlador de Compuerta
-
Voltaje de Saturación Colector Emisor
-
Disipación de Potencia
-
Diseño de Transistor
SMD
Terminación del IGBT
Solder
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.7kV
Montaje de Transistor
Surface Mount
Tensión de Alimentación Máx.
15.6V
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Retardo de Salida
1µs
Calificación
-
Corriente del Colector Continua
-
Configuración del Controlador
Half Bridge
Tipo de Interruptor de Potencia
IGBT
Tipo de Controlador
0
Estuche / Paquete CI
Module
IC, Montaje
Surface Mount
Tecnología IGBT
-
Tensión de Alimentación Mín.
14.4V
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Retardo de Entrada
1µs
Rango de Producto
SEMIDRIVER Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jun-2015)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jun-2015)
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