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2N7002DW-7-F
MOSFET, N-CH, 60V, 0.115A, SOT-363 ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.081 |
| 6000+ | $0.075 |
| 12000+ | $0.069 |
| 18000+ | $0.068 |
| 30000+ | $0.067 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$243.00
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte Fabricante2N7002DW-7-F
No. Parte Newark86AK6727
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N115mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente13.5ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N200mW
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
115mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
13.5ohm
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
200mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Alternativas para el número de pieza 2N7002DW-7-F
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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