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DMG1012UW
MOSFET, N-CH, 20V, 1A, SOT-323 ROHS COMPLIANT: YES
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 51 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.073 |
| 6000+ | $0.062 |
| 12000+ | $0.056 |
| 18000+ | $0.052 |
| 30000+ | $0.047 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$219.00
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG1012UW
No. Parte Newark86AK4730
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id1A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.45ohm
Diseño de TransistorSOT-323
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente500mV
Disipación de Potencia290mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1A
Diseño de Transistor
SOT-323
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
290mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.45ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
500mV
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Alternativas para el número de pieza DMG1012UW
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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