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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.409 |
| 10+ | $0.280 |
| 25+ | $0.236 |
| 50+ | $0.192 |
| 100+ | $0.148 |
| 250+ | $0.146 |
| 500+ | $0.145 |
| 1000+ | $0.144 |
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Múltiple: 5
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG6602SVTX-7
No. Parte Newark28AK8420
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Intensidad Drenador Continua Id0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3.4A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P3.4A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.035ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.035ohm
Diseño de TransistorTSOT-26
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N1W
Disipación de Potencia de Canal P1W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
3.4A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.035ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1W
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3.4A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.035ohm
Diseño de Transistor
TSOT-26
Disipación de Potencia de Canal N
1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto