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DMN2300UFB4-7B
MOSFET, N-CH, 20V, 1.3A, X2-DFN1006 ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 10000+ | $0.082 |
| 20000+ | $0.081 |
| 40000+ | $0.077 |
| 60000+ | $0.076 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN2300UFB4-7B
No. Parte Newark86AK4767
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id1.3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.175ohm
Diseño de TransistorX2-DFN1006
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente950mV
Disipación de Potencia500mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1.3A
Diseño de Transistor
X2-DFN1006
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
500mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.175ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
950mV
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Alternativas para el número de pieza DMN2300UFB4-7B
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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