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DMN4468LSS-13
MOSFET, CANAL N, 30V, 10A, SOIC
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FabricanteDIODES INC.
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Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark28AK8590
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.830 |
| 10+ | $0.516 |
| 25+ | $0.454 |
| 50+ | $0.394 |
| 100+ | $0.332 |
| 250+ | $0.293 |
| 500+ | $0.253 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
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Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark28AK8590
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id10A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.011ohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.95V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia1.52W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
10A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.011ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.95V
Disipación de Potencia
1.52W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto