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DMN63D8LDW-7
MOSFET, N-CH, 30V, 0.26A, SOT-363 ROHS COMPLIANT: YES
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 51 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.058 |
| 6000+ | $0.055 |
| 12000+ | $0.055 |
| 18000+ | $0.054 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$174.00
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN63D8LDW-7
No. Parte Newark86AK4791
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N260mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P260mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente2.8ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente2.8ohm
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N400mW
Disipación de Potencia de Canal P400mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
260mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
2.8ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
400mW
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
260mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
2.8ohm
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
400mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Alternativas para el número de pieza DMN63D8LDW-7
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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