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ZVN2110A
MOSFET POT, CANAL N, 100V, 320MA
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZVN2110ACopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark98K4100
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.490 |
| 10+ | $0.988 |
| 100+ | $0.692 |
| 500+ | $0.565 |
| 1000+ | $0.524 |
| 2500+ | $0.480 |
| 10000+ | $0.436 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZVN2110ACopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark98K4100
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id320mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4ohm
Resistencia de Activación Rds(on)4ohm
Diseño de TransistorTO-226AA
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd700mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.4V
Disipación de Potencia700mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
ZVN2110A is a N-channel enhancement mode vertical DMOS FET.
- Drain-source voltage is 100V
- Continuous drain current at Tamb=25° is 320mA
- Pulsed drain current is 6A
- Gate source voltage is ±20V
- Power dissipation at Tamb=25°C is 700mW
- Drain-source breakdown voltage is 100V min at ID=1mA, VGS=0V, Tamb=25°C
- Static drain-source on-state resistance is 4ohm max at VGS=10V, ID=1A, Tamb=25°C
- Turn-off delay time is 13ns max at VDD ≈25V, ID=1A, Tamb=25°C
- E-Line package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4ohm
Diseño de Transistor
TO-226AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
320mA
Resistencia de Activación Rds(on)
4ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
700mW
Disipación de Potencia
700mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza ZVN2110A
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto