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ZXM62P03E6
MOSFET POT, CANAL P, 30V, 1.5A
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXM62P03E6Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6638
Re-reeling (Rollos a medida)98K4141RL
Cinta adhesiva98K4141
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839 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.180 | $5.90 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $5.90 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $1.180 |
| 10+ | $1.030 |
| 15+ | $0.944 |
| 25+ | $0.870 |
| 50+ | $0.754 |
| 125+ | $0.683 |
| 250+ | $0.613 |
| 500+ | $0.594 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.618 |
| 9000+ | $0.599 |
| 15000+ | $0.558 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXM62P03E6Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6638
Re-reeling (Rollos a medida)98K4141RL
Cinta adhesiva98K4141
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id1.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.2ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.11ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd806mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia806mW
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
El ZXM62P03E6 es un MOSFET de modo de mejora de alta densidad de canal P de Zetex que utiliza una estructura única que combina los beneficios de una baja resistencia a la conexión con una velocidad de conmutación rápida. Esto los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia y bajo voltaje.
- Bajo umbral
- Accionamiento de puerta baja
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.2ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
1.5
Resistencia de Activación Rds(on)
0.11ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
806mW
Disipación de Potencia
806mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza ZXM62P03E6
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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