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ZXMHC3F381N8TC
MOSFET, N/P-CH, 30V, 3.98A, SOIC ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMHC3F381N8TC
No. Parte Newark86AK6601
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3.98A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P3.98A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.033ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.033ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N870mW
Disipación de Potencia de Canal P870mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
3.98A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.033ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
870mW
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3.98A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.033ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
870mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Alternativas para el número de pieza ZXMHC3F381N8TC
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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