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ZXMN6A09GTA
MOSFET de Potencia, Bajo Voltaje, Canal N, 60 V, 6.9 A, 0.04 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMN6A09GTACopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6613
Re-reeling (Rollos a medida)38K9597RL
Cinta adhesiva38K9597
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.160 | $2.16 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.16 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.160 |
| 50+ | $1.470 |
| 100+ | $1.060 |
| 250+ | $0.976 |
| 500+ | $0.893 |
| 1000+ | $0.875 |
| 2500+ | $0.856 |
| 5000+ | $0.838 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1000+ | $0.724 |
| 2000+ | $0.695 |
| 4000+ | $0.666 |
| 6000+ | $0.633 |
| 10000+ | $0.595 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMN6A09GTACopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6613
Re-reeling (Rollos a medida)38K9597RL
Cinta adhesiva38K9597
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id6.9A
Resistencia de Activación Rds(on)0.045ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.04ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd3.9W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia3.9W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El ZXMN6A09GTA es un MOSFET de modo de mejora de canal N de 60V que presenta una estructura única que combina los beneficios de baja resistencia y conmutación rápida, lo que lo hace ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia.
- Alto voltaje
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Alta velocidad de conmutación
- Bajo umbral
- Accionamiento de puerta baja
- Calificado AEC-Q101
- Clasificación de Inflamabilidad UL94V-0
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.045ohm
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
6.9A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.04ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
3.9W
Disipación de Potencia
3.9W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto