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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMP6A18KCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6627
Re-reeling (Rollos a medida)13M3620RL
Cinta adhesiva13M3620
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.250 | $6.25 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $6.25 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $1.250 |
| 10+ | $1.050 |
| 15+ | $0.941 |
| 25+ | $0.852 |
| 50+ | $0.748 |
| 125+ | $0.674 |
| 250+ | $0.560 |
| 500+ | $0.544 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.634 |
| 7500+ | $0.614 |
| 12500+ | $0.571 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMP6A18KCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6627
Re-reeling (Rollos a medida)13M3620RL
Cinta adhesiva13M3620
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id10.4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.055
Resistencia de Activación Rds(on)0.055ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd10.1W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia10.1
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El ZXMP6A18K es un MOSFET de modo de mejora de canal P de -60V que utiliza una estructura única y combina los beneficios de una baja resistencia con una velocidad de conmutación rápida. Esto hace que el MOSFET sea ideal para aplicaciones de alta eficiencia, bajo voltaje y administración de energía.
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Alta velocidad de conmutación
- Bajo umbral
- Accionamiento de puerta baja
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.055
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
10.4
Resistencia de Activación Rds(on)
0.055ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
10.1W
Disipación de Potencia
10.1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
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4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
