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DI002N10PWK-AQ
MOSFET, N-CH, 100V, 2A, QFN ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.536 |
| 10+ | $0.424 |
| 25+ | $0.361 |
| 50+ | $0.311 |
| 100+ | $0.269 |
| 250+ | $0.237 |
| 500+ | $0.202 |
| 1000+ | $0.180 |
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Información del producto
FabricanteDIOTEC
No. Parte FabricanteDI002N10PWK-AQ
No. Parte Newark29AM3973
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.25ohm
Diseño de TransistorQFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia2W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2A
Diseño de Transistor
QFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.25ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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