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DI008N09SQ
MOSFET de Potencia, Canal N, 90 V, 8 A, 0.075 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 25+ | $0.584 |
| 50+ | $0.527 |
| 100+ | $0.462 |
| 250+ | $0.414 |
| 500+ | $0.343 |
| 1000+ | $0.332 |
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Información del producto
FabricanteDIOTEC
No. Parte FabricanteDI008N09SQ
No. Parte Newark16AM8172
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds90V
Intensidad Drenador Continua Id8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.075ohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia2W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
8A
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
90V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.075ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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