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DI020N06D1-AQ
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 20 A, 0.034 ohm, TO-252AA (DPAK), Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.766 |
| 10+ | $0.645 |
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| 50+ | $0.530 |
| 100+ | $0.469 |
| 250+ | $0.425 |
| 500+ | $0.358 |
| 1000+ | $0.347 |
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Información del producto
FabricanteDIOTEC
No. Parte FabricanteDI020N06D1-AQ
No. Parte Newark16AM8176
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id20A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.034ohm
Diseño de TransistorTO-252AA (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia25W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
20A
Diseño de Transistor
TO-252AA (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
25W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.034ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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