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DI030N03D1
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA (DPAK), Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.687 |
| 10+ | $0.578 |
| 25+ | $0.522 |
| 50+ | $0.475 |
| 100+ | $0.420 |
| 250+ | $0.381 |
| 500+ | $0.322 |
| 1000+ | $0.312 |
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Información del producto
FabricanteDIOTEC
No. Parte FabricanteDI030N03D1
No. Parte Newark16AM8181
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id30A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.014ohm
Diseño de TransistorTO-252AA (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.2V
Disipación de Potencia40W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
30A
Diseño de Transistor
TO-252AA (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
40W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.014ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.2V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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