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DI035N06PQ2-AQ
MOSFET Dual, Doble Canal N, 60 V, 35 A, 15 mohm
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.330 |
| 10+ | $1.160 |
| 25+ | $1.070 |
| 50+ | $0.987 |
| 100+ | $0.861 |
| 250+ | $0.787 |
| 500+ | $0.709 |
| 1000+ | $0.689 |
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Información del producto
FabricanteDIOTEC
No. Parte FabricanteDI035N06PQ2-AQ
No. Parte Newark16AM8182
Tipo de CanalDual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N35
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente15
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorQFN
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N35.7
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
35
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
15
Diseño de Transistor
QFN
Disipación de Potencia de Canal N
35.7
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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