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DI110N04PQ-AQ
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 110 A, 0.0025 ohm, QFN, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.400 |
| 10+ | $1.240 |
| 25+ | $1.130 |
| 50+ | $1.050 |
| 100+ | $0.913 |
| 250+ | $0.835 |
| 500+ | $0.753 |
| 1000+ | $0.732 |
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Información del producto
FabricanteDIOTEC
No. Parte FabricanteDI110N04PQ-AQ
No. Parte Newark16AM8206
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id110A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0025ohm
Diseño de TransistorQFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia55.5W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
110A
Diseño de Transistor
QFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
55.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0025ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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