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DI7A6N10SQ
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 7.6 A, 0.02 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 10+ | $0.939 |
| 25+ | $0.846 |
| 50+ | $0.765 |
| 100+ | $0.673 |
| 250+ | $0.606 |
| 500+ | $0.505 |
| 1000+ | $0.490 |
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Información del producto
FabricanteDIOTEC
No. Parte FabricanteDI7A6N10SQ
No. Parte Newark16AM5260
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id7.6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.02ohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia2.5W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
7.6A
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
2.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.02ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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