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DIW120SIC059-AQ
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 65 A, 1.2 kV, 53 mohm, TO-247
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 1+ | $40.120 |
| 5+ | $38.660 |
| 10+ | $37.040 |
| 25+ | $35.570 |
| 50+ | $33.940 |
| 100+ | $33.460 |
| 250+ | $32.810 |
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Información del producto
FabricanteDIOTEC
No. Parte FabricanteDIW120SIC059-AQ
No. Parte Newark16AM8166
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id65
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente53
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia278
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
65
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
53
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
278
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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