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MMBT7002KDW
MOSFET, DUAL, N-CH, 60V, 0.3A, SOT-363 ROHS COMPLIANT: YES
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 13 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.303 |
| 10+ | $0.236 |
| 25+ | $0.147 |
| 50+ | $0.120 |
| 100+ | $0.103 |
| 250+ | $0.084 |
| 500+ | $0.068 |
| 1000+ | $0.064 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$1.52
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Información del producto
FabricanteDIOTEC
No. Parte FabricanteMMBT7002KDW
No. Parte Newark29AM9091
Tipo de CanalDual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N300mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente3ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N350mW
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
300mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
3ohm
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
350mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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