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MB85R1001ANC-GE1
FRAM, 1M, PARALLEL, 3V, 48TSOP
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Información del producto
FabricanteFUJITSU
No. Parte FabricanteMB85R1001ANC-GE1
No. Parte Newark76T2209
Hoja de datos técnicos
Memoria, TipoFRAM
Tamaño de la Memoria1Mbit
Configuración Memoria NVRAM128K x 8bit
Tipo de Interfaz ICParallel
Tiempo de Acceso100ns
Memoria, TipoTSOP
No. de Pines48Pines
Tensión de Alimentación Mín.3V
Tensión de Alimentación Máx.3.6V
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Memoria, Tipo
FRAM
Configuración Memoria NVRAM
128K x 8bit
Tiempo de Acceso
100ns
No. de Pines
48Pines
Tensión de Alimentación Máx.
3.6V
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tamaño de la Memoria
1Mbit
Tipo de Interfaz IC
Parallel
Memoria, Tipo
TSOP
Tensión de Alimentación Mín.
3V
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto