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G3R12MT12K
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 155 A, 1.2 kV, 0.012 ohm, TO-247
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FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteG3R12MT12K
No. Parte Newark32AK4574
Rango de ProductoG3R Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $66.600 |
| 5+ | $64.320 |
| 10+ | $62.020 |
| 25+ | $60.280 |
| 50+ | $59.010 |
| 100+ | $57.740 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteG3R12MT12K
No. Parte Newark32AK4574
Rango de ProductoG3R Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id155A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.012ohm
Diseño de TransistorTO-247
Núm. de Contactos4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)15V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.7V
Disipación de Potencia567W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoG3R Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
155A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.012ohm
Núm. de Contactos
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.7V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
15V
Disipación de Potencia
567W
Rango de Producto
G3R Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto