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AIMBG75R016M1HXTMA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAIMBG75R016M1HXTMA1
No. Parte Newark83AK8081
Rango de ProductoCoolSiC Gen I Series
611 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $21.330 |
| 10+ | $15.360 |
| 25+ | $15.190 |
| 50+ | $15.010 |
| 100+ | $14.840 |
| 250+ | $13.920 |
| 500+ | $13.020 |
| 1000+ | $12.110 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAIMBG75R016M1HXTMA1
No. Parte Newark83AK8081
Rango de ProductoCoolSiC Gen I Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id98A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds750V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.022ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6V
Disipación de Potencia384W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoCoolSiC Gen I Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
98A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.022ohm
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
750V
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
384W
Rango de Producto
CoolSiC Gen I Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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