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AIMZA75R027M1HXKSA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 60 A, 750 V, 0.025 ohm, TO-247
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAIMZA75R027M1HXKSA1
No. Parte Newark97AK2007
Rango de ProductoCoolSiC Gen 1 Series
60 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $17.660 |
| 10+ | $13.710 |
| 25+ | $13.420 |
| 50+ | $12.970 |
| 100+ | $12.670 |
| 480+ | $12.610 |
| 720+ | $12.600 |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAIMZA75R027M1HXKSA1
No. Parte Newark97AK2007
Rango de ProductoCoolSiC Gen 1 Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id60A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds750V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.025ohm
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6V
Disipación de Potencia234W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoCoolSiC Gen 1 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
60A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.025ohm
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
750V
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
234W
Rango de Producto
CoolSiC Gen 1 Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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