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AUIRF7647S2TR
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 24 A, 0.031 ohm, DirectFET SC, Montaje Superficial
5,934 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $3.260 | $3.26 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $3.26 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.260 |
| 10+ | $2.040 |
| 25+ | $1.910 |
| 50+ | $1.810 |
| 100+ | $1.690 |
| 250+ | $1.550 |
| 500+ | $1.410 |
| 1000+ | $1.270 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAUIRF7647S2TRCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)91Y4158
Cinta adhesiva91Y4158
Rango de ProductoHEXFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id24
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.031
Resistencia de Activación Rds(on)0.026ohm
Diseño de TransistorDirectFET SC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia41
Disipación de Potencia Pd41W
No. de Pines7Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoHEXFET
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia Directed® calificado para automoción
- Tecnología de proceso avanzada
- Optimizado para aplicaciones de amplificador de audio de clase D
- Bajo Rds.(on) para mejorar la eficiencia
- Qi bajo para mejor THD y eficiencia mejorada
- Qtr.bajo para mejor THD y menor EMI
- Inductancia parásita baja para un timbre reducido y una EMI más baja
- Ofrece hasta 100W por canal en 8 ohms sin disipador de calor
- Refrigeración de doble cara
- Capacidad para soportar avalanchas repetitivas para mayor confiabilidad y robustez
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.031
Diseño de Transistor
DirectFET SC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
41
No. de Pines
7Pines
Rango de Producto
HEXFET
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
24
Resistencia de Activación Rds(on)
0.026ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
41W
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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