Imprimir página
BAT1504RE6152HTSA1
Diodo Schottky RF, Serie Dual, 4 V, 110 mA, 300 mV, 0.25 pF, SOT-23
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBAT1504RE6152HTSA1
No. Parte Newark68AC4376
Hoja de datos técnicos
3,995 En Stock
¿Necesita más?
545 Entrega en 1-3 días hábiles(US stock)
3450 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Pedido antes de las 9 p.m.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.578 |
| 10+ | $0.434 |
| 25+ | $0.397 |
| 50+ | $0.361 |
| 100+ | $0.324 |
| 250+ | $0.289 |
| 500+ | $0.255 |
| 1000+ | $0.197 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.58
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBAT1504RE6152HTSA1
No. Parte Newark68AC4376
Hoja de datos técnicos
Configuración de DiodoDual Series
Voltaje Reverso4V
Corriente Directa110mA
Voltaje Directo300mV
Voltaje Directo VF Máx.300mV
Capacitancia del Diodo0.25pF
Estilo de la Carcasa del DiodoSOT-23
No. de Pines3 Pin
Montaje del DiodoSurface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Diodo de silicio RF Schottky adecuado para su uso con mezcladores y detectores en sistemas satelitales, bloques de bajo ruido para bandas Ku y sistemas de seguridad.
- Dispositivo de silicio de tipo N de barrera baja con anillo de protección integrado en el chip para protección contra sobretensiones
- Baja inductancia y baja capacitancia.
- Calificado para aplicaciones industriales de acuerdo con las pruebas relevantes de JEDEC47 / 20/22
- Configuración de pines de par de serie inversa
Especificaciones técnicas
Configuración de Diodo
Dual Series
Corriente Directa
110mA
Voltaje Directo VF Máx.
300mV
Estilo de la Carcasa del Diodo
SOT-23
Montaje del Diodo
Surface Mount
Rango de Producto
-
Voltaje Reverso
4V
Voltaje Directo
300mV
Capacitancia del Diodo
0.25pF
No. de Pines
3 Pin
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto