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BAT1504RE6152HTSA1
Diodo Schottky RF, Serie Dual, 4 V, 110 mA, 300 mV, 0.25 pF, SOT-23
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBAT1504RE6152HTSA1
No. Parte Newark68AC4376
Hoja de datos técnicos
Configuración de DiodoDual Series
Voltaje Reverso4
Corriente Directa110
Voltaje Directo VF Máx.300mV
Voltaje Directo300
Capacitancia del Diodo0.25
Estilo de la Carcasa del DiodoSOT-23
No. de Pines3 Pin
Montaje del DiodoSurface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
Diodo de silicio RF Schottky adecuado para su uso con mezcladores y detectores en sistemas satelitales, bloques de bajo ruido para bandas Ku y sistemas de seguridad.
- Dispositivo de silicio de tipo N de barrera baja con anillo de protección integrado en el chip para protección contra sobretensiones
- Baja inductancia y baja capacitancia.
- Calificado para aplicaciones industriales de acuerdo con las pruebas relevantes de JEDEC47 / 20/22
- Configuración de pines de par de serie inversa
Especificaciones técnicas
Configuración de Diodo
Dual Series
Corriente Directa
110
Voltaje Directo
300
Estilo de la Carcasa del Diodo
SOT-23
Montaje del Diodo
Surface Mount
Rango de Producto
-
Voltaje Reverso
4
Voltaje Directo VF Máx.
300mV
Capacitancia del Diodo
0.25
No. de Pines
3 Pin
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto