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BFP620H7764XTSA1
Bipolar - RF Transistor, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, 110 RoHS Compliant: Yes
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBFP620H7764XTSA1
No. Parte Newark50Y1756
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor2.3V
Frecuencia de Transición65GHz
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia185mW
Corriente de Colector DC0
Corriente de Colector Continua80mA
Ganancia de Corriente DC hFE0
Diseño de TransistorSOT-343
Núm. de Contactos4Pines
Encapsulado de Transistor RF0
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.110hFE
Montaje de TransistorSurface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
2.3V
Disipación de Potencia Pd
0
Corriente de Colector DC
0
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Núm. de Contactos
4Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
110hFE
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Frecuencia de Transición
65GHz
Disipación de Potencia
185mW
Corriente de Colector Continua
80mA
Diseño de Transistor
SOT-343
Encapsulado de Transistor RF
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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