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BSZ15DC02KDHXTMA1
MOSFET Doble, Canal N y P Complementario, 20 V, 5.1 A, 0.041 ohm, TSDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ15DC02KDHXTMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante51 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13AC8355RL
Cinta adhesiva13AC8355
Rango de ProductoOptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Series
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.190 | $2.19 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.19 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.190 |
| 50+ | $1.040 |
| 100+ | $0.930 |
| 250+ | $0.831 |
| 500+ | $0.732 |
| 1000+ | $0.718 |
| 2500+ | $0.703 |
| 5000+ | $0.689 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ15DC02KDHXTMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante51 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13AC8355RL
Cinta adhesiva13AC8355
Rango de ProductoOptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Intensidad Drenador Continua Id5.1A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N5.1
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P5.1
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.041
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.041
Diseño de TransistorTSDSON
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2.5
Disipación de Potencia de Canal P2.5
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoOptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Series
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- Transistor de señal pequeña OptiMOS ™ 2 + OptiMOS ™ -P 2
- Canal P + N complementario
- Modo mejorado
- Nivel súper lógico (2.5V nominal)
- Drenaje común
- Avalancha clasificada
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
- Calificado según AEC Q101
- Libre de halógenos según IEC61246-21
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
5.1
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.041
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2.5
Rango de Producto
OptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Intensidad Drenador Continua Id
5.1A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
5.1
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.041
Diseño de Transistor
TSDSON
Disipación de Potencia de Canal N
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto