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5.1A MOSFETs Dobles:
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Tipo de Canal
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
Intensidad Drenador Continua Id
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
Diseño de Transistor
No. de Pines
Disipación de Potencia de Canal N
Disipación de Potencia de Canal P
Temperatura de Trabajo Máx.
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Rango de Producto
Embalaje
Filtro(s) aplicado(s)
1 Filtro(s) seleccionado(s)
| Comparar | Precio para | Cantidad | |||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1+ $2.380 10+ $1.390 25+ $1.310 50+ $1.240 100+ $1.160 Más precios… | Mín: 1/Múlt: 1 Mín: 100/Múlt: 1 | N Channel | 55V | 55V | 5.1A | 55V | 5.1A | 5.1A | 0.043ohm | 0.043ohm | SOIC | 8Pines | 1.7W | 1.7W | 175°C | - | HEXFET Series | ||||||
Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva | 1+ $1.260 10+ $0.822 25+ $0.788 50+ $0.754 100+ $0.720 Más precios… | Mín: 1/Múlt: 1 | Complementary N and P Channel | 20 | 20V | 5.1A | 20 | 5.1A | 5.1A | 0.041 | 0.041 | TSDSON | 8Pines | 2.5 | 2.5 | 175°C | AEC-Q101 | OptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Series | |||||
