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BSZ15DC02KDHXTMA1
MOSFET Doble, Canal N y P Complementario, 20 V, 5.1 A, 0.041 ohm, TSDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ15DC02KDHXTMA1
No. Parte Newark13AC8355
Rango de ProductoOptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Series
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ15DC02KDHXTMA1
No. Parte Newark13AC8355
Rango de ProductoOptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Intensidad Drenador Continua Id5.1A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N5.1A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P3.2A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.055ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.15ohm
Diseño de TransistorTSDSON
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N-
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoOptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Series
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
- Transistor de señal pequeña OptiMOS ™ 2 + OptiMOS ™ -P 2
- Canal P + N complementario
- Modo mejorado
- Nivel súper lógico (2.5V nominal)
- Drenaje común
- Avalancha clasificada
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
- Calificado según AEC Q101
- Libre de halógenos según IEC61246-21
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
3.2A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.15ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
OptiMOS 2 + OptiMOS P 2 Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Intensidad Drenador Continua Id
5.1A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
5.1A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.055ohm
Diseño de Transistor
TSDSON
Disipación de Potencia de Canal N
-
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto