CY15B064Q-SXE

CY15B064Q-SXE es una memoria F-RAM automotriz no volátil de 64Kbit que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o F-RAM no es volátil y realiza lecturas y escrituras de manera similar a una RAM. Proporciona retención de datos confiable durante 121 años al tiempo que elimina las complejidades, los gastos generales y los problemas de confiabilidad a nivel del sistema causados ​​por memorias flash seriales, EEPROM y otras memorias no volátiles. A diferencia de la memoria flash serial y EEPROM, el CY15B064Q realiza operaciones de escritura a la velocidad del bus. No se producen retrasos en la escritura. Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se transfiere correctamente al dispositivo. El siguiente ciclo de bus puede comenzar sin necesidad de sondeo de datos. Además, el producto ofrece una resistencia de escritura sustancial en comparación con otras memorias no volátiles. El CY15B064Q es capaz de soportar 10^13 ciclos de lectura/escritura, o 10 millones de veces más ciclos de escritura que EEPROM.

• Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) de 64 Kbit organizada lógicamente como 8 K × 8
• Interfaz periférica serial (SPI) muy rápida, hasta una frecuencia de 16MHz
• Reemplazo directo de hardware para flash serial y EEPROM
• Admite modo SPI 0 (0, 0) y modo 3 (1, 1)
• Esquema sofisticado de protección contra escritura (protección de hardware mediante pin de protección contra escritura activo bajo (/WP))
• Protección de bloques de software para 1/4, 1/2 o toda la matriz
• Bajo consumo de energía: Corriente activa de 300µA a 1MHz y corriente en espera de 6µA (típica) a +85 °C
• Rango de voltaje de operación bajo VDD de 3V a 3.6V
• Cumple con AEC Q100 grado 1
• Paquete SOIC de 8 pines y rango de temperatura automotriz de -40 °C a +125 °C